今年一季度的业绩也表现不错。4月27日晚间，中微公司发布2022年一季度报告称，报告期内公司实现营业收入9.49亿元，同比增长57.31%;扣除非经常性损益的净利润为1.86亿元，同比增长1578.18%。
向前看，中微公司的高景气阶段远未结束。
根据WSTS在2021年11月底的预测，全球半导体市场增长率已从2020年的6.8%上升到2021的25.6%，对应2021年5530亿美元的市场规模，为自2010年（同比增长31.8%）以来最大增长幅度。WSTS预计2022年受益于传感器和逻辑芯片快速增长的推动，全球半导体市场将继续增长8.8%，达到6010亿美元。
从2021年各地区增速看，亚太地区增速最为强劲，预计将增长26.7%；欧洲地区预计将增长25.6%，美洲地区预计增长24.6%，日本预计增长19.5%，所有地区均为二位数以上增长。
在《每日财报》看来，多项指标可以印证芯片目前仍处于短缺状态。
首先，根据调研机构Susquehanna Financial Group的统计，2022年3月芯片交期达到26.6周，为2017年该机构跟踪以来的最长交期，反映芯片供给短缺的情况仍然持续。
其次，产能利依然维持满负荷运作。
根据2022年1月美国商务部芯片行业调查报告，目前由晶圆产能引发的芯片短缺将持续存在，预计芯片短缺难题仍将持续至少6个月，同时，大部分半导体生产设施的产能利用率已达90%以上，报告认为保证芯片供应仍需建设新产能。
最后，晶圆代工厂产值季度环比增速连续创新高，收入同比持续增加。
根据Trendforce统计，2021年第四季度前十大晶圆代工产值合计达295.5亿美元，环比增长8.3%，连续十个季度创新高，尽管增长幅度较第三季略收敛，但增长态势延续。全球前十大晶圆代工厂2021年Q4全球晶圆代工厂收入环比2021年Q3增加8.3%。台积电2022年2月营收创新高达1469.3亿元新台币，2022年前两个月累计营收约为3191亿元新台币，同比增长36.8%。
联电（UMC预计2022年第一季度按其美元计平均售价将季增5%，2022年Q1公司毛利率有望站上40%。台积电也对全线产品进行涨价，其中4-16nm先进制程晶圆的平均价格约按年调涨8%-10%，28nm及以上成熟制程的晶圆较2021年合同提价约15%。
在芯片供需不匹配的驱动下，国际主要芯片制造商、主要晶圆厂商台积电、联电、国内主流厂商中芯国际、华虹半导体、长江存储、美光等企业资本支出均预计上调。
台积电先前预计2021年资本支出达到300亿美元，同比增加74%；根据SC-IQ估计，台积电2023年的资本支出将达到350亿美元，甚至可能会更高。三星也在代工业务上大量投资，此前预计2021年在半导体资本支出约 300亿美元，并宣布计划在未来三年内投资240万亿韩元（2100亿美元）以扩展其业务。联电（UMC）预计2022年资本开支将达到30亿美元，同比增长 67%；意法半导体预计2022年将有34-36亿美元的资本开支用于进一步提高芯片产能，较去年大幅增长86%-97%。
2021年，中芯国际资本支出约到45亿美元，2022年资本开支预计将有50亿美元，持续推进已有老厂扩建及三个新厂项目，产能扩充幅度将超过去年的10万片，8英寸约当晶圆月产能或有望提升至72万片以上。
根据SEMI统计，在2020年至2024年间将会有25家8英寸晶圆厂投入使用。在这25座晶圆厂及扩建工厂中，5座位于美洲，1座位于欧洲及中东，19座位于亚洲（中国大陆14座、日本3座和中国台湾2座），预计8寸总产能将在2020年到2024年间增长21%，其中中国大陆将在2022年以21%得份额在8英寸产能方面领先世界。
当前半导体制造设备交付延期，头部半导体设备厂商会优先供给国际领先芯片企业，而国内半导体设备厂家在自主可控和供应链紧张背景下迎来发展红利。国内半导体设备厂家具备技术优势、较强的服务优势以及性价比优势，有望受益行业发展红利加速国产替代进程。
中微公司成立于2004年，始终聚焦用于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备的研发。截至2021年年底，公司共有研发人员415名，同比增加20%，占员工总数的40%。
中微公司自2004年起开始开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE刻蚀设备，于2007年正式发布，此后先后发布双反应台Primo AD-RIE、单反应台Primo SSC AD-RIE三代刻蚀设备，涵盖了65纳米到5纳米微观器件的众多刻蚀应用；发布PrimoiDEA（双反应台刻蚀除胶一体机）、Primo HD-RIE（tm）定位于为中高深宽比刻蚀提供综合解决方案。
《每日财报》注意到，截止到目前，公司CCP刻蚀设备技术处于国内领先国际先进水平，具备强技术壁垒及产品竞争力，批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。2020年，中微CCP介质刻蚀机在国内领先的3D NAND晶圆厂64层生产线中市占率达34%，128层生产线中达35%；在国内领先的逻辑晶圆厂28nm生产线市占率达39%。2021年公司共生产付运298腔，产量同比增长40%。
中微的CCP刻蚀设备目前可以基本覆盖CCP刻蚀设备7成左右的工艺，公司正根据存储器厂商的需求开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺，同时积极布局动态存储器的应用，并开始工艺开发及验证。
ICP刻蚀设备领域，去年中微ICP刻蚀设备已经在超过15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺验证，部分工艺的刻蚀性能和量产指标已经满足客户的要求并投入量产，且持续扩大刻蚀应用验证范围。核心产品Primo Nanova®在2021年6月完成第100台反应腔顺利交付，截至到2021年12月底，PrimoNanova®已经顺利交付超过180台反应腔，且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加。
在Primo Nanova®份额持续提升的同时，2021年上半年，中微公司又发布新一代ICP刻蚀设备Primo Twin-Star®，具有高输出特性的双反应台，用于IC器件前道和后道制程导电和电介质膜的刻蚀应用，已经在客户端完成认证，并收到来自国内领先客户的订单。
据Gartner，2020年全球干法刻蚀设备厂商市场中，中微公司市场份额占比仅为1.37%，国际龙头泛林半导体占比46.7%，排名第一，其次是东京电子占比25.6%。而在2020年大陆刻蚀设备厂商市场份额中，中微公司占比20%，大部分市场仍由外资企业垄断，应用材料及泛林半导体的大陆市场份额占比接近70%。
中美贸易摩擦凸显出自主可控的重要性，国内晶圆厂基于产线稳定性的考虑，会将其设备需求根据重要性程度逐步向我国设备企业做转移尝试，中微公司作为具备核心技术壁垒的龙头企业，国产替代空间广阔，叠加半导体产业的高景气，公司未来有望进入高速增长期。
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